EPR
EPR助力提升太陽能電池質(zhì)量和性能
應用說明
秉持誠信 不斷創(chuàng)新
引言
最近三十年里,光伏組件的累計銷售每增加一倍,其平均價格即下降
20%。難于獲取足夠高純度的硅或(有機光伏電池所需的)聚合物,一直
是阻礙光伏產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)快速增長的重要因素之一。因此,市場非常需要成本
低廉的、生產(chǎn)光伏應用所需的硅和聚合物的技術(shù)。但成本低廉的生產(chǎn)技
術(shù)極有可能導致所生產(chǎn)的硅或聚合物純度降低。因此,對缺陷和雜質(zhì)含
量有精確的要求, 同時不影響達成產(chǎn)品良率和成本目標,并實現(xiàn)更短的能
源行業(yè)投資回報周期,具有至關(guān)重要的作用。
光伏材料中的順磁性缺陷和雜質(zhì)包括:
. SiO2 中的E ’中心
. SiO2 或c-Si中的原子H0
. 懸空鍵(Si-SiO2界面處的Pb 中心)
. 晶界缺陷
. 晶粒內(nèi)缺陷
. 過渡金屬 . 自由基
深能級缺陷對多晶硅薄膜太陽能電池的器件性能的影響
具備高電子質(zhì)量的薄膜,是發(fā)展下一代硅薄膜太陽能電池的前提。為了生
產(chǎn)出可以硅晶圓太陽能電池相媲美的晶體硅薄膜太陽能電池,
我們探索了許多在玻璃襯底上制備多晶硅薄膜的方法。然而
多晶硅太陽能電池相比硅晶圓太陽能電池開路電壓(V )顯著降低。對
oc
固相晶體硅太陽能電池進行的EPR研究表明,深能級順磁性缺陷是多晶硅
中的主要復合中心,因而是制約多晶硅電子質(zhì)量的最重要因素。EPR研究
所得到的結(jié)論包括:
. 多晶硅太陽能電池中通常存在晶界和晶粒內(nèi)缺陷
. 借助布魯克的SpinCount模塊,可以測定缺陷含量(即缺陷密度Ns)
oc |
降低而升高
. EPR研究證明,順磁性缺陷密度是制約多晶硅太陽能電池性能的一個 因素
圖1:多晶硅薄膜太陽能電池性能與缺陷密度之間的關(guān)系。
根據(jù)知識共享許可協(xié)議4.0(Creative Commons Attribution License 4.0)的條件摘自參考文獻[1]。
鑒定多晶硅薄膜中的晶粒內(nèi)和晶界缺陷
證明是順磁性缺陷在制約多晶硅太陽能電池的器件性能后,在微觀水平上探討觀測到的缺陷來源,對于鑒定這些缺陷至關(guān)重 要。通過對平均晶粒粒徑為200 μm的液相晶化層,及擁有類似晶粒內(nèi)形態(tài)但不同晶粒粒徑(0.25 μm-1 μm)的特定固相晶化 硅層,進行EPR定量測量,可以表征多晶硅薄膜中的晶粒內(nèi)和晶界缺陷。結(jié)果發(fā)現(xiàn),缺陷特性由兩個擁有不同g值(g = 2.0055 和2.0032)的信號組成,它們分別被歸為晶界缺陷和晶粒內(nèi)缺陷。
圖2:晶粒粒徑為0.25 μm和200 μm的多晶硅薄膜的EPR譜 圖。EPR數(shù)據(jù)表明,在g = 2.0032處存在晶粒內(nèi)缺陷(深黃色譜 圖),在g = 2.0055處存在晶界缺陷(紅色譜圖)。根據(jù)知識共享 許可協(xié)議4.0(Creative Commons Attribution License 4.0)的 條件摘自參考文獻[2]。
圖3:掃描電鏡(SEM)下的多晶硅薄膜圖像。通過EPR鑒別出的兩種缺陷分別顯示為深黃色和紅 色。根據(jù)知識共享許可協(xié)議4.0(Creative Commons Attribution License 4.0)的條件摘自參考 文獻[2]。
鈣鈦礦:研發(fā)低成本和高效率太陽能電池的新途徑
近年來,鈣鈦礦結(jié)構(gòu)在光伏電池和儲能應用中展現(xiàn)出巨大的發(fā)展前景。 鈣鈦礦型光伏電池成本低,壽命長。這些太陽能電池具有可調(diào)帶隙、高 吸光能力和高載流子遷移率等理想性能,且能量轉(zhuǎn)換效率(PCE)顯著提 高。但是,鈣鈦礦結(jié)構(gòu)在其界面和晶界處存在外源缺陷,它們將影響鈣 鈦礦薄膜的結(jié)晶度,并使其在太陽能電池中的結(jié)構(gòu)容易發(fā)生分解。通過 EPR可以研究順磁性缺陷的類型及其在晶格中的密度。
圖4:鈣鈦礦型太陽能電池的示意圖。根據(jù)知識共享許可協(xié)議4.0 (Creative Commons Attribution License 4.0)的條件摘自沖 繩科學技術(shù)大學院大學(OIST)的網(wǎng)站。
布魯克拜厄斯賓將持續(xù)改進其產(chǎn)品,并有權(quán)更改規(guī)格而不另行通知。 |
序號:T192641 © 05/2023 Bruker BioSpin。 |
鈣鈦礦薄膜中聚焦離子束誘導的順磁性缺陷
據(jù)知,離子束輻照能夠誘導相變和非晶化等結(jié)構(gòu)變化。在聚焦離子束輻照 條件下,EPR可檢測到含錳氧化物的鈣鈦礦薄膜中孤立和定域的順磁性自 旋。這些缺陷在低溫下(5-50 K)表現(xiàn)出居里效應,表明在缺陷部位存在定 域電子。
通過EPR檢測和鑒定缺陷類型及分布,是幫助研究人員和制造商找到消除 缺陷的適當解決方案的關(guān)鍵。無論是在太陽能電池中,還是作為燃料電池 和空氣電池中的電極,或者固態(tài)鋰離子電池中的電解質(zhì),鈣鈦礦材料在儲 能應用中都已展現(xiàn)出非常誘人的應用前景。因此,通過缺陷工程可以調(diào)控 這些新型材料的性能,以便更好地了解它們的吸光性能。
圖5:不同溫度下,鈣鈦礦薄膜中聚焦離子束輻照誘導的缺陷 中心的EPR譜圖。根據(jù)知識共享許可協(xié)議4.0(Creative Com- mons Attribution License 4.0)的條件摘自參考文獻[5]。
參考文獻
1. Fehr M. et al., In?uence of deep defects on device performance of thin-?lm polycrystalline silicon solar cells,Appl. Phys. Lett. (2012) 101 123904
2. SontheimerT. et al. (Silicon Photovoltaics), Identi?cation of intra-grain and grain boundary defects in polycrystalline Si thin ?lms by electron paramagnetic resonance, Phys. Status Solidi RRL (2013) 11 959
3. Snaith H. J., Perovskites: The emergence of a new era for low-cost, high-ef?ciency solar cells, J. Phys. Chem. Lett. (2013) 4 3623
4. Bera S. et al., Review of defect engineering in perovskites for photovoltaic application, Mater. Adv. (2022) 3 5234 5. Jeon N. J. et al., Focused-ion-beam induced paramagnetic defects in FAMn:PbI3 perovskite ?lms, Adv. Chem. Eng.
Sci. (2022) 12 87
歡迎您關(guān)注我們的微信公眾號了解更多信息